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【VASP/ML】npj Comput. Mater.:機(jī)器學(xué)習(xí)精準(zhǔn)預(yù)測(cè)氧化還原電位

【VASP/ML】npj Comput. Mater.:機(jī)器學(xué)習(xí)精準(zhǔn)預(yù)測(cè)氧化還原電位
研究背景
基于電子轉(zhuǎn)移(ET)的氧化還原電位(Ox+ne?→Red)是各種電化學(xué)能量轉(zhuǎn)換設(shè)備的基本原理之一,它決定了氧化還原能級(jí)相對(duì)于金屬材料中費(fèi)米能級(jí)的位置(或半導(dǎo)體和絕緣體材料的價(jià)帶最大值(VBM)和導(dǎo)帶最小值(CBM))。此外,氧化還原電位還能確定溶液中離子和分子的穩(wěn)定窗口,即特定離子或分子可發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)的電壓范圍。然而,想要對(duì)氧化還原電位實(shí)現(xiàn)精確的第一性原理(FP)預(yù)測(cè),就必須平衡雜化函數(shù)高昂的計(jì)算成本和近似求解(連續(xù)介質(zhì)溶解模型和QM/MM模型)導(dǎo)致的誤差。
近期,日本株式會(huì)社豐田中央研究所Ryosuke Jinnouchi等人出了一種結(jié)合第一性原理計(jì)算和機(jī)器學(xué)習(xí)的方法,從機(jī)器學(xué)習(xí)力場(chǎng)到半局域泛函,再到雜化泛函的熱力學(xué)積分,最終利用Δ-機(jī)器學(xué)習(xí)(Δ-ML)逐步完善電子轉(zhuǎn)移自由能的計(jì)算,在僅使用25%雜化函數(shù)(PBE0)的情況下,成功預(yù)測(cè)實(shí)驗(yàn)報(bào)道的Fe3+/Fe2+、Cu2+/Cu+、Ag2+/Ag+的氧化還原電位(三種材料分別代表較大、較小的電位和復(fù)雜的配位環(huán)境)。
研究亮點(diǎn)
1、低成本高精度預(yù)測(cè):Δ-ML輔助模型預(yù)測(cè)的氧化還原電位的均方根誤差降低了一個(gè)數(shù)量級(jí)以上,預(yù)測(cè)偏差明顯減小到10 mV以下,并成功預(yù)測(cè)出Fe3+/Fe2+、Cu2+/Cu+、Ag2+/Ag+的氧化還原電位分別為0.92、0.26和1.99 V。
2、理論研究新范式:通過機(jī)器學(xué)習(xí)力場(chǎng)和雜化泛函的精確調(diào)控,實(shí)現(xiàn)預(yù)測(cè)結(jié)果的不斷優(yōu)化。作者提出在不同環(huán)境下,選擇不同的參考能級(jí)(O 1s能級(jí))能夠拓寬模型的應(yīng)用范圍。

計(jì)算方法

含有氧化還原物質(zhì)的溶液按圖1所示進(jìn)行建模。水分子數(shù)分別設(shè)置為32、64和96,以明確體系的尺寸效應(yīng),其中,水的密度設(shè)定為0.99 g cm-3
針對(duì)FP計(jì)算,作者利用VASP軟件開展研究,使用投影綴加平面波(PAW)方法描述電子-離子相互作用。對(duì)于含有32個(gè)水分子的體系,作者使用2×2×2 k點(diǎn)網(wǎng)格,其余模型采用Γ點(diǎn)網(wǎng)格。計(jì)算中,截?cái)嗄鼙辉O(shè)置為520 eV,并對(duì)銅的兩種原子構(gòu)型(3d104p1和3p63d104p1)進(jìn)行了比較,以考察半核電子弛豫對(duì)氧化還原電位的影響。
機(jī)器學(xué)習(xí)采用VASP.6.3中的集成模塊開展,針對(duì)每種還原態(tài)和氧化態(tài),作者都構(gòu)建了MLFF和Δ-ML模型。所有MLFF模型都是利用作者開發(fā)的主動(dòng)學(xué)習(xí)算法在400 K下生成的。
圖文導(dǎo)讀
電子的化學(xué)勢(shì)計(jì)算需要通過FP所使用的真空能級(jí)進(jìn)行確定,考慮到周期體系下真空能級(jí)難以直接獲取,作者使用相對(duì)于真空能級(jí)固定的H2O中O 1s能級(jí)作為參考能級(jí),具體方法示意圖如圖1a所示。由于O 1s能級(jí)距離氧化還原物種足夠遠(yuǎn),不受反應(yīng)物的影響,且與平均局部電位成比例。因此,以O(shè) 1s為參考來測(cè)量氧化還原水平的結(jié)果是<U1-U0>λ/n-<ε1s, bulk>,其中U0和U1分別是氧化態(tài)和還原態(tài)的勢(shì)能,μ和n是化學(xué)勢(shì)和參與反應(yīng)的電子數(shù)(圖1c),進(jìn)而真空能級(jí)可以表述為μ-<ε1s, bulk>(圖1b)。
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圖1 參考能級(jí)的選擇
在確定參考能級(jí)之后,為解決雜化函數(shù)計(jì)算電子轉(zhuǎn)移自由能差值成本較大的問題,作者提出了圖2所示的ML輔助方法。作者使用非局域雜化泛函(FPnl(Ox/Red))、半局域泛函(FPsl(Ox/Red))和機(jī)器學(xué)習(xí)力場(chǎng)(ML(Ox/Red))對(duì)氧化和還原情況進(jìn)行的計(jì)算。最開始,作者認(rèn)為可以使用ML模型來進(jìn)行熱力學(xué)積分(TI),但計(jì)算得出的精度偏差巨大。而FPsl方法是對(duì)氧化態(tài)和還原態(tài)利用ML電位到FP電位進(jìn)行熱力學(xué)積分來校正ML電位預(yù)測(cè)的誤差,這種積分法具有如下優(yōu)勢(shì):考慮了TI中的大部分非線性成分,可以達(dá)到極高的統(tǒng)計(jì)精度;還為其他計(jì)算步驟提供了所需的均衡初始結(jié)構(gòu);實(shí)現(xiàn)只需幾十皮秒的分子動(dòng)力學(xué)模擬(MD)就能收斂。此外,對(duì)FPnl方法計(jì)算出的電位,作者決定應(yīng)用Δ-ML學(xué)習(xí)FPsl電位和FPnl電位之間的差值ΔU。由于FPsl函數(shù)和FPnl函數(shù)之間的能量差值非常平滑,因此只需進(jìn)行幾十次FPnl計(jì)算,就可以學(xué)習(xí)到非常精確的ΔU,與機(jī)器學(xué)習(xí)力場(chǎng)(MLFF)相比,誤差明顯縮小了一個(gè)數(shù)量級(jí)。
綜上所述,作者基于Δ-ML模型的精確性,在不同F(xiàn)P方法之間獲得極其精確的自由能差,而無需進(jìn)一步修正,使用FPsl方法生成不同配位環(huán)境,使用FPnl方法直接將TI所需的計(jì)算時(shí)間從2000萬核小時(shí)減少到16800核小時(shí)。
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圖2 不同機(jī)器學(xué)習(xí)方法的對(duì)比
按照上述計(jì)算流程,圖3顯示了用MLFF和FPsl方法計(jì)算的還原態(tài)和氧化態(tài)的金屬氧徑向分布函數(shù)(RDF)和連續(xù)積分配位數(shù)(RIN)。MLFF很好地再現(xiàn)了FPsl方法的RDF和RIN。兩種方法都表明,鐵離子的配位數(shù)為6,與電荷狀態(tài)無關(guān)。相反,銅的配位數(shù)從氧化態(tài)的5-6個(gè)(Cu2+)變?yōu)檫€原態(tài)的2-3個(gè)(Cu+)。銀的配位數(shù)也從氧化態(tài)的5-6個(gè)(Ag2+)變?yōu)檫€原態(tài)的4-5個(gè)(Ag+)。這些水合結(jié)構(gòu)與之前使用FP-MD方法和經(jīng)驗(yàn)力場(chǎng)進(jìn)行的MD研究一致。雖然RDF中的Fe-O距離以及Cu-O和Ag-O的拐點(diǎn)略有偏差,這可能與FP-MD模擬時(shí)間較短以及MLFF自身誤差有關(guān),但總體而言,作者提出的流程在較低的成本和時(shí)間下很好地再現(xiàn)了水合金屬陽離子的第一性原理能量和結(jié)構(gòu)。
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圖3 計(jì)算金屬的還原態(tài)和氧化態(tài)
作者在使用含有32、64和96個(gè)水分子的超胞中驗(yàn)證了FPsl預(yù)測(cè)氧化還原電位的精確性之后。作者對(duì)超胞中含有的64個(gè)水分子的溶液進(jìn)行了計(jì)算,計(jì)算得出的氧化還原電位與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的比較見圖4。在FPsl上訓(xùn)練的MLFF與沒有任何MLFF輔助的FPsl計(jì)算值(FPsl w/o ML)相比,會(huì)產(chǎn)生30-250 mV的偏差,同時(shí),作者證實(shí)了這種偏差取決于訓(xùn)練數(shù)據(jù)的大小。如FPsl w/ ML所示,這些偏差可以通過兩次TI積分(圖2中的ML(Ox)→FPsl(Ox)和ML(Red)→FPsl(Red))來糾正。然而,半局域泛函導(dǎo)致了相當(dāng)大的非系統(tǒng)誤差,與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相比,銀的氧化還原電位被低估,而銅的氧化還原電位則被明顯高估。
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圖4 不同方法預(yù)測(cè)結(jié)果對(duì)比
最后,研究表明,使用25%雜化泛函,平均誤差可降低到0.11 V。如表1所示,Cu2+/Cu+的氧化還原電位隨著雜化泛函的增加而降低,而Ag2+/Ag+的氧化還原電位則隨著分?jǐn)?shù)的增加而升高。至于Fe3+/Fe2+趨勢(shì)則不太明顯(先上升后略有下降)。Fe3+/Fe2+、Cu2+/Cu+、Ag2+/Ag+的氧化還原電位分別為0.92、0.26和1.99 V,與實(shí)驗(yàn)報(bào)道的0.77、0.15、1.98 V十分貼切。
表1 不同比例雜化泛函的預(yù)測(cè)結(jié)果
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文獻(xiàn)信息
Jinnouchi, R., Karsai, F., & Kresse, G. (2024). Machine learning-aided first-principles calculations of redox potentials. npj Computational Materials, 10(1), 107.
https://doi.org/10.1038/s41524-024-01295-6

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