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第一作者：Dongqi Li, Wenhao Zheng, Sai Manoj Gali

通訊作者：馮新亮，于明浩，Hai I. Wang，david.beljonne

通訊單位：德累斯頓工業大學, 德國馬克斯·普朗克高分子研究所，蒙斯大學

馮新亮，德國德累斯頓工業大學首席教授、在德國獲得化學學科終身教職的華人第一人?，歐洲科學院院士。上海交通大學化學化工學院教授，2001年獲得中國地質大學學士學位，2004年獲得上海交通大學碩士學位，同年赴德國馬普高分子研究所深造，2008年獲博士學位。（信息來源：https://baike.baidu.com/item/%E5%86%AF%E6%96%B0%E4%BA%AE/338063?fr=ge_ala）

于明浩，研究員，獨立PI，德累斯頓工業大學化學與食品化學系、德累斯頓先進電子研究中心課題組組長，馬普微結構物理研究所附屬課題組組長。2017年獲選洪堡學者，2021年獲USERN Prize物理與化學科學獎、EnSM年輕科學家獎、JMCA新銳科學家獎，2018-2023年連續六年獲選高被引科學家（Clarivate Analytics）。

論文速覽

表面終端深刻影響MXenes的內在性質，但現有的終端僅限于單原子層或簡單基團，顯示無序排列和較差的穩定性。本文研究了MXenes的表面終止對其內在屬性的深刻影響，通過助熔劑輔助的共晶熔融刻蝕法合成了具有三原子層硼酸鹽聚陰離子終端（OBO終端）的MXenes。

對比傳統的氯/氧封端的Nb₂C，OBO終止的Nb₂C表現出Drude模型描述的能帶傳輸特性，電導率提高了15倍，直流極限下的電荷遷移率提高了10倍。此外，OBO終止為Ti₃C₂MXene提供了豐富的Li⁺宿主位點，從而具有高達420 mAh g^-1的大電荷存儲容量。這些發現展示了MXenes中復雜終止配置的潛力及其在（光電）電子學和能量存儲方面的應用前景。

圖文導讀