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研究背景
二維材料的潤滑性能在很大程度上取決于周圍環(huán)境,如溫度、應(yīng)力、濕度、氧氣和其他環(huán)境物質(zhì)。鑒于實時和原位測試難以表征微觀環(huán)境與材料相互作用,近年來,通過理論計算模擬實際環(huán)境中二維材料的摩擦行為能夠有效指導(dǎo)設(shè)計各類潤滑材料。
近期,中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所王立平聯(lián)合黃良鋒等人綜述了環(huán)境因素對二維材料潤滑性能影響的最新計算研究,總結(jié)了從經(jīng)典力學(xué)到量子力學(xué)用于研究潤滑行為的理論方法,并強調(diào)了量子方法在揭示原子和電子水平潤滑機理方面的重要性。同時還提出了一種基于原子分子動力學(xué)的模擬方法,為準確揭示摩擦機理、指導(dǎo)設(shè)計潤滑材料提供更多途徑。
研究亮點
1、本文從基本的摩擦學(xué)分析模型出發(fā),按照模擬精度和復(fù)雜度遞增的順序,總結(jié)了經(jīng)典的MD、DFT、AIMD和QM/MM方法,并詳細介紹了這些方法在研究具體摩擦學(xué)問題中的應(yīng)用。
2、在綜述現(xiàn)有AIMD模擬的基礎(chǔ)上,作者將“慢生長”AIMD模擬方法引入摩擦學(xué)研究,并在具有代表性的MoS2體系中進行了不同法向應(yīng)力和溫度下的計算,揭示了“慢生長”方法在研究材料摩擦行為方面的有效性和準確性
圖文導(dǎo)讀
二維材料的潤滑特性
原子級厚度的二維材料因其獨特的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢是理想的固體潤滑劑,但它們的摩擦行為對環(huán)境因素非常敏感。例如,MoS2在真空環(huán)境中是最成功潤滑劑,但隨著環(huán)境濕度增加,其摩擦系數(shù)會迅速增大,而當水分去除后,其摩擦系數(shù)又能迅速恢復(fù)到低值(圖1a)。受限于實驗表征困難,作者統(tǒng)計了計算模擬在摩擦研究上的應(yīng)用(圖1b),與經(jīng)典的MD仿真相比,DFT方法在摩擦學(xué)領(lǐng)域仍處于起步階段,因為該方法只能模擬幾百個原子的體系。但許多宏觀摩擦現(xiàn)象往往取決于局部原子和電子相互作用,作者強調(diào)了開發(fā)和應(yīng)用更多的DFT計算模型和方法,將促進闡明摩擦機理并能指導(dǎo)設(shè)計優(yōu)異的潤滑材料。
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圖1 二維材料摩擦研究統(tǒng)計
經(jīng)典分析模型
經(jīng)典分析模型主要有:Coulomb–Amontons定律和Prandtl–Tomlinson(PT)模型。其中,PT模型是迄今為止最成功、最具影響力的摩擦分析模型之一,它將原子力顯微鏡實驗簡化為一個點針尖被一個勻速運動的支撐物拖著在剛性基底上滑動,支撐物通過一個諧波彈簧與點針尖相連(圖2)。雖然傳統(tǒng)PT模型忽略了許多實際因素,但它對于理解摩擦的本質(zhì)仍然至關(guān)重要,也是后續(xù)MD模擬的基礎(chǔ)。
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圖2 經(jīng)典分析模型的基本原理
經(jīng)典分子動力學(xué)模擬
要定量分析更復(fù)雜的特征,例如特定材料摩擦對環(huán)境依賴性,就必須超越傳統(tǒng)分析模型,并從原子層次進行分析。MD模擬不僅可以模擬原子力顯微鏡實驗,還可以直接研究材料內(nèi)部的剪切過程。
例如,在研究石墨烯的潤滑特性過程中,原子力顯微鏡測試表明,濕潤條件下石墨烯邊緣臨界磨損的法向載荷普遍高于干燥條件下(圖3a-d),而無論是濕潤還是干燥條件下,石墨烯內(nèi)部區(qū)域的磨損都相對較小。MD模擬揭示了(圖3e),石墨烯邊緣不飽和C原子可以與AFM針尖形成共價鍵,而在濕潤條件下滑動時,這些暴露的C原子可以被H2O分子鈍化,邊緣的耐磨性得到很大程度的改善。
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圖3 石墨烯的潤滑特性
除了鈍化效應(yīng)之外,水與二維材料之間的物理相互作用引起的納米摩擦力增加也是一種常見現(xiàn)象。褶皺效應(yīng)是影響二維材料滑動的一個重要現(xiàn)象,當原子力顯微鏡針尖滑過與基底結(jié)合較弱的二維材料時,這些彎曲剛度較低的原子薄片會因針尖與樣品的粘附而起皺。這種褶皺效應(yīng)會增加針尖與薄片的接觸面積,并在向前移動起皺區(qū)域時消耗額外的能量,從而增加摩擦力。
當較厚的二維材料(石墨烯、MoS2等)弱粘附在SiO2/Si基底上,通過MD模擬能觀察到滑動尖端前的皺紋(圖4a-c)。相應(yīng)的,在濕潤環(huán)境下滑動時,無論是石墨烯、MoS2還是h-BN,一旦H2O擴散到二維材料與基底之間的界面,由于褶皺效應(yīng),它們的摩擦力會顯著增加(圖4d,e)。此外,研究者提出AFM針尖與石墨烯之間吸附的水會增加摩擦力,導(dǎo)致卸載時比加載時檢測到更大的摩擦力(圖4f),并發(fā)現(xiàn)隨著石墨烯親水性的增加,無論是在加載還是卸載過程中,計算出的摩擦力都會相應(yīng)增加,而滯后現(xiàn)象則會減弱(圖4g)。
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圖4 褶皺效應(yīng)研究
這些對原子力顯微鏡實驗的模擬表明,濕度對二維材料摩擦學(xué)特性的影響非常復(fù)雜,不應(yīng)單獨討論,而應(yīng)與基底等其他參數(shù)的影響結(jié)合起來考慮。另一方面,濕度的這種復(fù)雜影響也很難在實驗中進行表征,因此精確的理論建模和模擬尤為重要。
除了模擬原子力顯微鏡實驗,經(jīng)典MD還可以直接模擬材料內(nèi)部發(fā)生的剪切過程。Onodera等人構(gòu)建了兩層MoS2的界面模型來研究MoS2的摩擦各向異性,如圖5a所示。為揭示MoS2摩擦性能對環(huán)境濕度敏感的內(nèi)在機制,Stella等人模擬了不同法向載荷下不同水覆蓋率的MoS2的剪應(yīng)力滑動(圖5c,d)。他們發(fā)現(xiàn),在低載荷(0.2-300 nN)、較低水覆蓋率(25%)的條件下比較高水覆蓋率(50%)具有更高的摩擦系數(shù),而在高載荷條件下,摩擦系數(shù)隨著水覆蓋率的增加而增加。Claerbout等人在MD模擬中也發(fā)現(xiàn)了類似的現(xiàn)象,并提出了三種不同的摩擦機理(圖5e),說明了在低載荷(0-3 GPa)下水對MoS2的影響。
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圖5 材料內(nèi)部發(fā)生的剪切研究
然而,迄今為止,雖然針對濕潤環(huán)境中二維材料的摩擦行為開展了許多經(jīng)典MD模擬,但仍無法深入揭示不同二維材料對水敏感性存在特定差異的根源。二維材料與環(huán)境中的水分子之間的特殊相互作用可能涉及電子結(jié)構(gòu)的實時變化,要更精確地模擬二維材料與環(huán)境的相互作用,就必須采用能夠同時精確描述化學(xué)和機械過程的量子力學(xué)方法。
靜態(tài)密度泛函理論模擬
摩擦對局部界面相互作用非常敏感,需要從量子力學(xué)角度深入了解原子和電子特性,以捕捉經(jīng)典MD方法無法描述的微妙之處。環(huán)境介質(zhì)對摩擦過程的影響總是始于這些小分子對材料表面和界面的吸附。一般來說,結(jié)構(gòu)和活性位點越不穩(wěn)定,就越容易吸附外在環(huán)境因子并被鈍化。
例如圖6a,b中,研究人員系統(tǒng)研究了H2O分子在石墨烯和MoS2中各種點缺陷上的吸附,結(jié)果表明,石墨烯和MoS2中缺陷的存在可以增強水的親和力,對于原始表面和最多的點缺陷,這兩種材料對H2O的吸附能沒有顯著差異。環(huán)境介質(zhì)的吸附會進一步改變二維材料與基底之間的結(jié)合強度,導(dǎo)致褶皺效應(yīng)等。相反,基底與二維材料之間的相互作用也會影響二維材料的表面活性。例如,Gao等人發(fā)現(xiàn)石墨烯與Re(0001)基底之間的電子轉(zhuǎn)移會改變石墨烯的活性,并影響石墨烯與由Ir原子組成的滑動尖端之間的相互作用強度(圖6c)。
作者強調(diào)了計算結(jié)合強度只能在一定程度上定性地說明摩擦過程的難度,如圖6d中石墨烯與Fe2O3的結(jié)合強度與它們相對滑動所需的能量勢壘之間并沒有明確的關(guān)系。因此為準確揭示摩擦機理,有必要直接研究相關(guān)的滑動過程。
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圖6 靜態(tài)密度泛函理論研究過程
對于物理/化學(xué)過程而言,簡單的熱力學(xué)計算難以準確揭示其發(fā)生的難度,而這一過程需要克服的動能勢壘則是決定反應(yīng)速率或物質(zhì)演化速率的關(guān)鍵。
MoS2在大氣環(huán)境中工作時,除了濕度對其潤滑性能的惡化作用外,氧化也是常見的因素。圖7中列舉了眾多研究工作,在MoS2的S鈍化邊緣上,O2的解離能壘低至0.31 eV,O2解離后,SO2基團很容易從邊緣釋放出來,而暴露在外的Mo原子可進一步與O2反應(yīng)并被氧化,與邊緣相比,MoS2的表面相對難以被氧化。
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圖7 反應(yīng)動力學(xué)研究
繪制摩擦系統(tǒng)的滑動勢能面(PES)是在DFT模擬中量化摩擦的一種有效且常用的方法,該方法由Zhong和Tománek于1990年提出。
PES是直接定量評估摩擦和反映摩擦過程的原子和電子尺度機理的有效方法。通過PES計算,全面揭示了化學(xué)修飾和功能化、法向載荷、面內(nèi)應(yīng)變、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、基底和電場對二維材料的影響。然而,對于濕度的影響,PES計算可能并不適合,因為水分子的運動具有動態(tài)無序的特點,靜態(tài)模擬難以捕捉水的現(xiàn)實影響。精確研究水效應(yīng)仍然需要使用MD方法。此外,靜態(tài)PES模擬只能提供與相互作用層之間的靜摩擦力或剪切強度有關(guān)的信息,但在真實的摩擦系統(tǒng)中,各層不可能像剛性塊一樣移動,極有可能某些區(qū)域會滑動,而另一些區(qū)域則不會。因而要確定動態(tài)摩擦響應(yīng),如對速度或溫度依賴性,應(yīng)結(jié)合MD模擬。
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圖8 滑動勢能面量化摩擦
分子動力學(xué)模擬
與靜態(tài)DFT計算相比,AIMD模擬除了考慮電子相互作用機制外,還能進一步考慮摩擦滑動產(chǎn)生的內(nèi)部原子應(yīng)力,以及環(huán)境因素與潤滑涂層之間的動態(tài)耦合過程。與經(jīng)典MD模擬一樣,AIMD模擬也是基于牛頓運動方程的求解,但這里的原子間作用力是通過DFT的量子力學(xué)方法精確描述的。雖然AIMD保證了摩擦模擬的準確性,但其耗時遠遠超過經(jīng)典MD模擬,因此AIMD需要更精心的模型設(shè)計,才能有效捕捉摩擦特性并降低計算成本。
Mosey和Righi的小組在模擬摩擦滑動行為時分別采用的剪切應(yīng)變和應(yīng)力應(yīng)變的方法進行研究(圖9)。作者在這個方法的基礎(chǔ)上提出了一種名為“緩慢增長法”的創(chuàng)新方法來模擬界面滑動,并推導(dǎo)出摩擦力和摩擦系數(shù)。
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圖9 緩慢增長法模擬界面滑動
為了研究摩擦過程中滑動界面的狀態(tài)和結(jié)合強度的動態(tài)演化,作者引入了基于AIMD的慢生長方法來模擬剪切過程,并選擇MoS2的對稱界面和不對稱界面來驗證該方法的先進性。慢生長法常用于研究過去復(fù)雜的化學(xué)演變過程,如溶解環(huán)境中化學(xué)鍵的形成和解離。在這種方法中,系統(tǒng)從初始狀態(tài)(1)轉(zhuǎn)變到最終狀態(tài)(2)的不可逆功(ω1→2irrev)可以表示為:
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在此基礎(chǔ)上,作者模擬了具有代表性的對稱和不對稱MoS2界面的滑動過程,如圖10所示。通過模擬結(jié)果可以看出,在對稱界面上存在明顯的粘滑行為,而在不對稱界面上存在連續(xù)的低耗散滑動行為。作者的ab initio模擬沒有任何先驗假設(shè),而是直接模擬二維界面的滑動過程。典型的粘滑和連續(xù)滑動現(xiàn)象的出現(xiàn)也證明了傳統(tǒng)PT模型的有效性。
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圖10 驗證緩慢增長法的應(yīng)用
經(jīng)典和量子力學(xué)混合模擬
量子力學(xué)/分子力學(xué)(QM/MM)混合方法由Warshel和Levitt于1976年首次提出,用于研究大尺寸、復(fù)雜的酶-底物-溶劑相互作用體系。QM/MM方法的理念是將經(jīng)典MD的計算效率和AIMD的精確性結(jié)合起來,即選擇研究體系中反應(yīng)最劇烈的部分在QM水平上進行處理,而體系的其他部分則用MM來描述。雖然QM/MM方法已在生物領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,但其在摩擦學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用仍處于起步階段。由于材料在現(xiàn)實環(huán)境中的潤滑行為涉及環(huán)境因子與材料之間局部復(fù)雜的電子相互作用,以及摩擦系統(tǒng)的巨大尺寸,因此QM/MM方法的應(yīng)用意義重大。
作者回顧有關(guān)石墨烯-水體系的工作,如圖11所示,其中包括石墨烯納米帶和水分子在內(nèi)的量子區(qū)域以及其余石墨烯層是由MM描述的,在摩擦系統(tǒng)中施加剪切應(yīng)力使界面滑動。在QM/MM模擬過程中,一些H2O分子會首先解離形成吸附的OH和H,一些吸附的H可以解吸并與H2O結(jié)合形成H3O+,從而在H2O分子間擴散并加速水網(wǎng)格的演化(圖11)。
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圖11 QM/MM方法的應(yīng)用前景
文獻信息
Hao, Y., Sun, T. Y., Ye, J. T., Huang, L. F., & Wang, L. P. (2024). Accurate Simulation for 2D Lubricating Materials in Realistic Environments: From Classical to Quantum Mechanical Methods. Advanced Materials, 2312429.
https://doi.org/10.1002/adma.202312429

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