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【DFT】熱活化延遲熒光分子中電子給體與受體分子內(nèi)二面角的設(shè)計

【DFT】熱活化延遲熒光分子中電子給體與受體分子內(nèi)二面角的設(shè)計

英文原題:Design of Intramolecular Dihedral Angle between Electronic Donor and Acceptor in Thermally Activated Delayed Fluorescence Molecules

作者:錢鑫,楚飛鴻,周文采

通訊作者:鄭子龍(北京工業(yè)大學),陳小青(北京工業(yè)大學),趙儀(廈門大學)

研究背景

熱活化型延遲熒光(TADF)有機發(fā)光二極管(OLED)材料,因其高效、經(jīng)濟、柔性和環(huán)境友好成為新一代發(fā)光材料的研究熱點。傳統(tǒng)TADF-OLED因激子利用率(ηexc)低,成為發(fā)光材料領(lǐng)域亟待解決的問題。在單組分TADF-OLED材料中,由電子給體(D)和電子受體(A)結(jié)構(gòu)中,D-A垂直二面角可以增強激子電荷轉(zhuǎn)移態(tài)特性,降低單重態(tài)(S?)/三重態(tài)(T?)劈裂能(?EST)從而增強反系間竄越(rISC)T? → S?過程;但同時降低了輻射躍遷偶極矩(μS? → S?),削弱熒光發(fā)射過程降低量子產(chǎn)率。尋找D-A之間理想二面角(θD-A),對于非輻射T? → S?過程和輻射S? → S?過程達到平衡至關(guān)重要。本文通過第一性原理結(jié)合分子動力學的方法,闡明了θD-A與OLED-TADF發(fā)光性能之間的構(gòu)效關(guān)聯(lián),給出咔唑苯腈衍生物(藍光發(fā)光材料)結(jié)構(gòu)中D-A二面角的理想數(shù)值。

快訊亮點

(1)基于第一性原理與分子動力學模擬結(jié)合的方法,定量闡明凝聚相體系中θD-A和ηexc之間的構(gòu)效關(guān)聯(lián)。

2)提出CzBN衍生物(藍光發(fā)光材料)D-A理想二面角θD-A為77°(ηexc為94.4%),并得到實驗測量驗證。

內(nèi)容介紹

本文通過第一性原理計算和分子動力學模擬,探討了最高已占據(jù)分子軌道(HOMO)與最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)之間的重疊(O[H/L])和躍遷偶極矩對S? → S?熒光輻射速率(kr)的影響(圖1、3),定量研究了?EST和自旋軌道耦合對T? → S?躍遷速率(krISC)的影響(圖1-3),以及闡述了θD-A對ηexc的調(diào)節(jié)機制(圖3)。此外,理論計算結(jié)果與CzBN衍生物實驗測量光致發(fā)光熒光量子產(chǎn)率(PLQY)一致。?

基于咔唑(Cz)和苯腈(BN)片段之間的給體-受體二面角設(shè)計,本文闡明藍光CzBN衍生物最優(yōu)的電子給體(D)-電子受體(A)二面角(θD-A)為77°(對應最高ηexc為94.4%)。(i)當θD-A從0°上升到57°,輻射躍遷占據(jù)主導因素,ηexc從24.9%減小到9.2%;(ii)當θD-A從57°增加到77°,反系間竄越占據(jù)主導因素,ηexc從9.2%迅速增加到94.4%;(iii)二面角θD-A從77°增加到90°,輻射躍遷和反系間竄越同時減小,ηexc從94.4%減小到89.7%。分子構(gòu)效關(guān)系的研究,為高性能藍光TADF-OLED材料提供了理想分子結(jié)構(gòu)參數(shù)(θD-A=77°)。?

綜上所述,TADF激子利用率ηexc受到非輻射的反系間竄越(rISC)T? → S?和熒光輻射S? → S?的影響;二面角(θD-A)通過單重態(tài)(S?)-三重態(tài)(T?)的劈裂能(ΔEST)、躍遷偶極矩(μS?-S?)、自旋軌道耦合實現(xiàn)對上述兩種光物理過程的競爭調(diào)控。本項工作提出了藍光CzBN衍生物的最優(yōu)的θD-A為77°,同時ηexc最高為94.4%,計算結(jié)果得到實驗測量驗證。分子結(jié)構(gòu)與效率之間的物理聯(lián)系為高效TADF-OELD分子設(shè)計提供了新的指導方向。

【DFT】熱活化延遲熒光分子中電子給體與受體分子內(nèi)二面角的設(shè)計

圖1. (a)HOMO波函數(shù)和LUMO波函數(shù)之間的重疊(O[H/L]),(b)輻射躍遷偶極矩(μS? → S?),以及(c)單重態(tài)/三重態(tài)劈裂能(?EST)隨二面角(θD-A)的變化關(guān)系。

【DFT】熱活化延遲熒光分子中電子給體與受體分子內(nèi)二面角的設(shè)計

圖2. CzBN的S?態(tài)和T?態(tài)的空穴和電子NTO分布

【DFT】熱活化延遲熒光分子中電子給體與受體分子內(nèi)二面角的設(shè)計

圖3. 電子態(tài)躍遷速率、激子利用率與二面角的聯(lián)系:(a)輻射S? → S?熒光速率(kr),(b)非輻射T? → S?反系間竄越速率(krISC),(c)以及激子利用效率(ηexc)隨二面角(θD-A)的變化關(guān)系。

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