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浙大孫文平AFM:富含原子層缺陷的AD-LCO實現(xiàn)快速OER

開發(fā)一種可靠的合成策略以同時實現(xiàn)材料的電子結(jié)構(gòu)調(diào)制和二維(2D)化具有重要意義,但仍然具有挑戰(zhàn)性。
基于此,浙江大學(xué)孫文平研究員等人報道了一種簡便通用的策略,即通過機械剪切輔助剝離制造具有獨特電子結(jié)構(gòu)的缺陷豐富的原子層材料,同時實現(xiàn)了電子結(jié)構(gòu)調(diào)制和2D化。
浙大孫文平AFM:富含原子層缺陷的AD-LCO實現(xiàn)快速OER
作為概念驗證演示,作者成功合成了具有豐富表面缺陷的原子層狀LiCoO2納米片(AD-LCO),其能夠加速析氧反應(yīng)(OER)動力學(xué),并在電流密度為10和50 mA cm-2時分別將OER過電位顯著降低到184和216 mV。通過X射線吸收光譜表明,AD-LCO具有顯著富集的d-帶空穴和增強的析氧反應(yīng)(OER)動力學(xué),導(dǎo)致OER過電位和動力學(xué)勢壘顯著降低。
浙大孫文平AFM:富含原子層缺陷的AD-LCO實現(xiàn)快速OER
通過密度泛函理論(DFT)計算表明,Co晶格空位的存在可以優(yōu)化中間體的吸附動力學(xué),從而降低限速步驟的能壘。重要的是,該方法普遍適用于制備其他超薄缺陷豐富的2D材料,如BN、WS2和 MoS2。該研究對合理設(shè)計具有豐富表面缺陷的超薄2D材料提供了新的見解。
浙大孫文平AFM:富含原子層缺陷的AD-LCO實現(xiàn)快速OER
Enriched d-Band Holes Enabling Fast Oxygen Evolution Kinetics on Atomic-Layered Defect-Rich Lithium Cobalt Oxide Nanosheets. Adv. Funct. Mater., 2022, DOI: 10.1002/adfm.202200663.

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