【頂刊計算】JACS:機理導向設計CO2還原合成多碳產物的光催化劑 2024年2月1日 上午11:16 ? 計算 ? 閱讀 37 研究背景 光催化還原CO2生成高能量密度的多碳(C2+)產品是一種清潔的能源轉化技術,在多碳產物中丙烷(C3H8)為現代工業提供了關鍵的材料支持,通過系列深加工能夠得到高附加值的化工產品,但該過程受限于催化劑的轉換效率低下以及多碳產物選擇性不高等因素。同時,復雜的催化反應為明確催化劑與產物之間的構效關系帶來了挑戰。 為解決上述問題,東南大學王金蘭和凌崇益等人圍繞具有高C3H8選擇性的Cu摻雜TiO2(Cu-TiO2)研究影響光催化CO2合成C3H8的關鍵因素并設計出一種相鄰兩個Cu原子摻雜TiO2的高性能催化劑。 研究亮點 1.作者揭示了影響C3H8形成的三個關鍵因素,即氧空位的形成、C-C耦合和氧空位的再生。 2.構建了一個基于電負性與d電子數的描述符,用于揭示不同體系催化產生多碳產物性能差異性起源的根本原因。 3.基于所提出的描述符,設計了一種兩個相鄰Cu原子摻雜的TiO2光催化劑,實現CO2光還原至C3H8的高效率和高選擇性。 計算方法 作者使用VASP軟件包中廣義梯度近似(GGA)下的PBE泛函描述相互關聯能,而電子-離子相互作用則使用投影綴加平面波(PAW)方法描述。在計算中,作者考慮色散修正并選擇Grimme的DFT-D3進行校正,并設置截斷能為450 eV,設置3 × 3 × 1 k點網格。過渡態的搜索采用輕推彈性帶法結合改進Dimer方法來實現,同時計算中保持力收斂標準設置為0.03 eV?/?。 結構優化過程中,作者將收斂標準設置為每個原子上的最大剩余力小于0.02?eV?/?。針對Ti 3d電子的強庫侖相互作用,作者采用U = 3.5 eV的DFT + U方法來處理。 成果簡介 基于實驗觀察到Cu-TiO2催化過程中C3H8是主要產物,表明形成了連續的氧空位(VO)來支持C3中間體的吸附。為此,作者計算ΔEVo以確定所催化劑的表面結構(圖1a)。隨著單個Cu原子的引入,ΔEVo降低到0.24 eV,表明在摻雜Cu附近形成了VO,第二空位(Vdi?O)的ΔEVo為2.66 eV。而三氧空位(Vtri?O)的ΔEVo增加到4.55 eV說明其生成的困難性。從圖1b中可以觀察到,負的Eads和負的凈電荷以及C-O鍵的伸長,證明了CO2被激活。因此,活性CO2可以迅速還原為*COOH或*CHOO。由于能量勢壘明顯低于*CHOO的形成(如圖1c、d),CO2還原成*COOH要有利得多。作者還計算了H2O解離的Ea(圖1c),如圖1e和圖1f所示,H2O更傾向于將CO2還原為*COOH,而不是H2O解離。 圖1 確定反應路徑 生成的*COOH進一步還原為*CO,作者研究得出,兩*CO的對稱C?C耦合需要克服1.52 eV的Ea(圖2a),這表明該過程的效率較低。對于*CO的加氫過程,作者發現生成*CHO過程比*COH過程易于發生。此外,*CO與*CHO不對稱耦合產生*COCHO的Ea為1.08 eV(圖2b)低于*CO與*COH耦合產生*COCHO的Ea(圖2c)。因此,*CO和*CHO的不對稱耦合是在Cu-TiO2上形成初始C?C鍵的主要途徑。 Vdi-O的存在能夠吸附形成*COCHO中間體附近的另一個CO,使*CO和*COCHO的耦合產生第二個C-C鍵。該過程與*COCHO氫化生成*CHOCHO生成C2H4相競爭,這兩個競爭反應的Ea(圖2d)較小,反應速率都很高。這些結果表明C?C鍵形成的不對稱耦合以及Vdi?O在C3H8形成中的關鍵作用。 圖2 形成C?C鍵的反應路徑分析 通過計算*CHOCHO和*COCOCHO加氫生成C2H4和C3H8的反應動力學勢壘和自由能圖(圖3)。由于Ti原子高的氧親和性,最終產物(C2H4或C3H8)的形成通常會吸附*OH來修復Vdi-O,而在殘留的*OH被清除時候會再次生成Vdi?O。圖3中*OH加氫和*H2O脫附還原Vdi-O初始態的勢壘和自由能分別為0.81和0.69 eV,表明還原過程相對緩慢。所以Vdi?O再生率是C3產物高選擇性的另一個重要因素。 圖3 生成C2H4和C3H8的反應動力學勢壘和自由能圖 上述分析揭示了CO2在Cu-TiO2上是如何還原成C3H8的,得出C3H8生成的關鍵點(圖4):雙氧缺陷是高C3H8選擇性的先決條件,適中的C-C耦合能壘是高活性的關鍵,而雙氧空位的再生能力決定了催化劑的耐久性。 圖4 C3H8形成的關鍵因素示意 作者計算22種過渡金屬原子摻雜TiO2的ΔEVo、ΔG*COCHO和ΔG*COCOCHO表明,理想的催化劑應該在VO形成和C-C耦合之間取得平衡(圖5a),而這些均與ΔG*COCHO密切相關。為了證明這一假設,作者計算了Fe和Ag摻雜TiO2上不同關鍵步驟,即C?C耦合和空位再生的Ea值(圖5b)。Fe-TiO2具有更低的ΔG*COCHO。相反,負ΔG*COCHO較少的Ag-TiO2比Cu-TiO2具有更低的*OH還原勢壘,表明氧空位易于形成/再生。而由于VO形成和C?C耦合的限制,摻雜其他金屬的TiO2性能低于Cu-TiO2。接著作者進一步設計了Cu-Cu-TiO2,該新型催化劑上第一和第二氧空位的形成能低于Cu-TiO2上的形成能,表明Vdi-O形成/回收能力強于Cu-TiO2。同時,計算得到*CO與*CHO耦合、*CO與*COCHO耦合、*OH還原的Ea值普遍低于單摻雜Cu時的Ea值(圖5c),實現催化性能提高。 考慮到d電子數(Nd)和d電子數(χM)對催化性能起著決定性作用,作者采用確定獨立篩選和稀疏算子方法將22種摻雜的d電子數與d電子數進行特征組合,初步構建0.226NdχM-2.4χM,接著考慮氧原子電負性(χO)的影響進行歸一化處理得到,為表達的簡潔除以常數-0.226得出最終描述符:。 Nμ(有效d電子數)與ΔG*COCHO或ΔEVo之間有良好的標度關系,其中ΔG*COCHO和ΔEVo分別可以表示為(圖5d)。此外,Nμ的值取決于摻雜金屬原子的d電子數(Nd)和相對電負性,其中Nd的變化范圍比電負性對不同金屬的變化范圍大得多。因此,Nd是金屬摻雜TiO2對C3H8生成起到了決定因素。 圖5 原子篩選以及描述符的提出 文獻信息 Ren, C., Li, Q., Ling, C., & Wang, J. (2023). Mechanism-Guided Design of Photocatalysts for CO2?Reduction toward Multicarbon Products. Journal of the American Chemical Society. https://doi.org/10.1021/jacs.3c11972 原創文章,作者:計算搬磚工程師,如若轉載,請注明來源華算科技,注明出處:http://www.zzhhcy.com/index.php/2024/02/01/60865c3738/ 贊 (0) 0 生成海報 相關推薦 Nat Catal:復旦大學劉智攀團隊報道人工智能驅動的銀催化乙烯環氧化反應的活性位點發現 2024年3月30日 【DFT+實驗】黃云輝最新AM:能量密度145 Wh Kg?1的鈉離子軟包電池! 2024年1月25日 【DFT+實驗】丁云杰/韓仲康Angew.:近100%選擇性!Pd1-Ru1/PIPs助力乙炔雙羰基化 2023年12月5日 Nature子刊:DFT研究單原子催化劑中半穩定配位,驅動活性中心的動態演化 2023年10月31日 (綜述)昆士蘭科技大學寇良志教授團隊AFM|理論模擬加速尿素電化學合成 2024年1月2日 PCCP:三維聯苯的相變行為和電化學腐蝕的新見解 2023年11月8日