半導體光催化還原二氧化碳(CO2)是實現碳中和的一種有前途的方法,可以產生有價值的化學物質,如CO、CH4、HCOOH和CH3OH。由于線性CO2分子的高熱力學穩定性,太陽能-CO2轉化效率一直受到限制。要獲得高性能,光催化劑必須滿足一系列基本條件,如合適的能帶結構、高的電荷轉移效率和優異的表面反應性。由于CdS具有較窄的禁帶寬度、良好的可見光吸收和適當的氧化還原電位,因此被廣泛用于光催化還原CO2。然而,由于光生電子-空穴對的快速復合和析氫反應(HER)的激烈競爭,CdS納米材料的CO2轉化效率受到嚴重限制。因此,合理修飾CdS材料對提高其光催化CO2轉化性能具有重要意義。近日,湖南大學張楠、瞿雙林和解修強等通過對Cu摻雜PBA前驅體的溫和硫化制備了Cu摻雜的空心CdS立方體(Cu/HCC)。實驗結果表明,Cu成功地摻入了空心CdS立方體的體相中,并且在Jahn-Teller畸變的應力響應下形成了自調節的硫空位(VS)。同時,研究人員通過調節Cu源的引入順序,制備了Cu摻雜到CdS表面的HCC@Cu催化劑樣品,并對其進行了比較,探討了Cu物種的空間位置對催化性能的影響。水相中光催化還原CO2的結果表明,在光照下,優化后的Cu/HCC的CO產率為14.4 μmol g-1 h-1,分別是純HCC和HCC@Cu的4倍和5倍以上。基于實驗研究和理論計算,研究人員提出了Cu/HCC-2光催化還原CO2的合理機理:在光激發下,CdS價帶中的電子被激發到導帶,并且在光生電荷載流子向最外表面的擴散過程中,CdS體相中分散的Cu有效抑制了光生電子-空穴對的復合,最終提供了促進光催化還原CO2所需的高濃度電荷載流子;同時,Cu原位摻雜策略使得Cu/HCC-2的d帶中心上移,促進了CO2在Cu/HCC-2上的吸附和活化。此外,體相中的自調節VS不能有效參與表面質子還原反應。這些結果允許Cu/HCC-2中的光生電子優先還原CO2分子,然后,CO2經過COOH*中間體轉化為CO。在這一過程中,VS可以有效地促進COOH*中間體向CO*中間體的轉化;另一方面,表面的Cu位點能夠促進CO*的解吸,最終提高CO的產率。Isolated Cu sites in CdS hollow nanocubes with doping-location-dependent performance for photocatalytic CO2 reduction. ACS Catalysis, 2024. DOI: 10.1021/acscatal.3c05412