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來源丨北京科技大學(xué)

3月24日，北京科技大學(xué)新材料技術(shù)研究院、北京材料基因工程高精尖創(chuàng)新中心的研究團隊設(shè)計一種新型的層狀結(jié)構(gòu)材料，采用一種簡單的溶液外延生長方法，獲得超薄（低至1nm）鉍氧化物薄膜，并穩(wěn)定呈現(xiàn)出高的宏觀鐵電性能。研究成果以“Ferroelectricity in layered bismuth oxide down to 1 nanometer”為題發(fā)表在Science上。

論文鏈接：

https://www.science.org/doi/10.1126/science.abm5134

北京科技大學(xué)為第一研究單位，新材料技術(shù)研究院博士研究生楊倩倩為本論文的第一作者，張林興教授和田建軍教授為通訊作者，本工作得到了邢獻然教授和陳駿教授等人的指導(dǎo)。

主要研究成員團隊照

本論文研究工作的溶液工程外延薄膜技術(shù)，可以在多種基底上實現(xiàn)該體系層狀結(jié)構(gòu)薄膜，如價格低廉的Al2O3和鈣鈦礦SrTiO3基底上。薄膜和基底呈現(xiàn)明顯的外延生長關(guān)系，并且所得薄膜具有高結(jié)晶質(zhì)量和原子級平整表面，體現(xiàn)了本工作制備技術(shù)的普適性。因此，這項工作對于原子尺度薄膜的制備及原子尺度高密度電子器件的發(fā)展均具有重要意義，所開發(fā)的制備技術(shù)也表現(xiàn)出很好的應(yīng)用前景。

北京工業(yè)大學(xué)博士生胡敬聰和西班牙巴斯克大學(xué)方躍文研究員為共同第一作者，北京工業(yè)大學(xué)盧岳副研究員為共同通訊作者，合作單位還有以色列特拉維夫大學(xué)、上海交通大學(xué)、中國科技大學(xué)和中國科學(xué)院等單位。

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