通過第一性原理計算研究了Si0.5Ge0.5合金的結構、形成能和熱力學性質。我們考慮了有序和無序兩種情況。結果表明在0K時Si0.5Ge0.5合金不穩定,但考慮熵效應,可能在特定條件下制備得出。另外,本文也討論了Si0.5Ge0.5合金的熱容、德拜溫度和熱脹系數的溫度度依賴關系。
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硅鍺合金在光電荷微電子領域有重要應用,因而近幾年吸引了廣泛的注意力,且它作為熱電材料也具有巨大潛力。盡管對其已有大量研究,但很少有人關注其熱力學性質。另外,硅鍺合金的成分極易受到生長條件影響。在823K下的GeSi/Si應變超晶格中觀測到有序RH結構,而在923K時出現了有序向無序結構的不可逆轉變。可見,硅鍺合金的熱力學性質及其復雜,為了更好地發掘其應用潛力,有必要研究其高溫熱力學性質具有重要意義。
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1、模擬方法及參數設置
本文的計算均在CASTEP軟件下完成。選取超軟贗勢及廣義梯度近似。結構優化計算中,截斷能選取400eV,取Si的3s3p和Ge的4s4p為價電子。布里淵區積分相應于ZB,RH和無序結構分別為8×8×8,8×8×8和8×4×4.自洽收斂標準設為總能10-7eV/atom,作用于原子上的力為10-4eV/angstrorm。無序合金結構采用準隨機結構方法得到,其中每個原胞中包含32個原子。熱力學性質計算通過準諧德拜模型完成。
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2、模擬結果及討論
首先,為了得到Si0.5Ge0.5的平衡結構,我們研究了每個結構的態方程。使用B-M態方程擬合的E-V結果如圖1所示??梢奪B結構較另外兩種結構有更低的能量,SQS相次之,RH相最高。這表明ZB結構最為穩定,但是實驗上并未觀測到Si0.5Ge0.5這一結構;Rh結構Si0.5Ge0.5已經在外延生長實驗中被觀測到,但很容易轉變為SQS相。這一現象與E-V曲線中SQS和RH的平衡體積幾乎相同相符。
圖1 計算得到的ZB, RH 和SQS結構Si0.5Ge0.5的總能
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首先,為了得到Si0.5Ge0.5的平衡結構,我們研究了每個結構的態方程。使用B-M態方程擬合的E-V結果如圖1所示。為了得到Si0.5Ge0.5的熱力學穩定性,我們計算了其形成能。得到三種結構Si0.5Ge0.5的形成能均為正值,表明其0K下的熱力學不穩定性。但是考慮熵效應,Si0.5Ge0.5可能會在特定溫度范圍內存在。
? Si0.5Ge0.5合金的熱力學參量由準諧德拜模型計算得出。其中熱容隨溫度變化曲線示于圖2中??梢?,三種結構的熱容變化趨勢相似,即隨溫度增加,熱容增加。數值上,在室溫以下,ZB相的值最低,SQS相最高;在高溫時,熱容值不再依賴于溫度而是趨近于常數3R。
圖2 有序、無序Si0.5Ge0.5的熱容隨溫度變化的函數關系,插圖為100-300K范圍內的放大圖
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另外,熱脹系數的溫度依賴關系示于圖3a中,其表明三種結構的熱脹系數在170K以下幾乎不變,而后至2000K一直迅速增加,溫度再升高,則逐漸趨于穩定值。德拜溫度隨溫度升高而降低(見圖3b),這里得到的室溫下ZB,RH和SQS結構的德拜溫度值分別為662,649和644K。分析表明,三種結構德拜溫度的差值來源于密度和平均波速的不同。
圖3 有序、無序Si0.5Ge0.5的a 熱脹系數 b德拜溫度的溫度依賴關系
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3、結論
我們研究了有序、無序Si0.5Ge0.5合金的結構和熱力學性質。得到的平衡結構參數和體積模量與已有結果符合很好。形成能計算表明了其在0K時的不穩定性,然而可能存在于某個溫度范圍內。通過準諧德拜模型,我們成功地預測了合金的熱力學參數。
本文作者:朱巖1)2),張新宇1),*,張素紅1),孫曉瑋1),王利民1),馬明臻2),劉日平1);1)燕山大學亞穩材料制備技術與科學國家重點實驗室,2)河北科技師范大學理化學院
文章期刊號:Appl. Phys. A,2014,115 (2):667-670
文章鏈接:http://link.springer.com/article/10.1007/s00339-013-7847-4#page-1
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