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【計算文獻解讀】JPCC:界面極化子在Z型光催化水分解機理中的作用

【計算文獻解讀】JPCC:界面極化子在Z型光催化水分解機理中的作用
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【計算文獻解讀】JPCC:界面極化子在Z型光催化水分解機理中的作用

在生態友好的氫能生產中,光催化水分解受到了越來越多的關注。近日,漢陽大學Yong-Chae Chung、科隆大學Heechae Choi等人利用多尺度模擬,系統研究了g-C3N4/TiO2異質結中極化子的形成對Z型電荷分離的影響。

計算方法

所有的自旋極化DFT計算都是使用維也納從頭算模擬包(VASP)和投影增強波(PAW)方法進行的,而電子的交換關聯相互作用由含有Perdew–Burke–Ernzerhof(PBE)泛函的廣義梯度近似(GGA)來描述。作者使用DFT-D3方法來描述兩種材料之間的范德華相互作用,并將動力學截斷能設置為520 eV。在g-C3N4/TiO2(101)的超胞計算中,作者使用以Γ為中心的1×2×1 K點網格對布里淵區進行采樣,并使用3×6×1 k點網格進行電子結構計算。

此外,作者將自洽場計算和力的收斂標準分別設置為10-5 eV和0.02 eV/?,并將Ti原子的U值設置為5.0eV。為了屏蔽相鄰異質結構之間的直接相互作用,作者將g-C3N4/TiO2(101)法線方向上的真空間距設置為15?。

結果與討論

【計算文獻解讀】JPCC:界面極化子在Z型光催化水分解機理中的作用

圖1 極化子局部化的TiO2(101)和g-C3N4/TiO2的模型結構

如圖1a所示,由于外表面Ti原子的配位數是5,而不是6,使得極化子位于外表面Ti原子,并同時穩定TiO2(101)表面能。此外,六個八面體配位的O原子向外弛豫,導致Ti–O鍵長延長約4%。如圖1b所示,即使g-C3N4附著在TiO2(101)上,極化子也位于Ti原子上。

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圖2 g-C3N4/TiO2(101)和極化子局部化的g-C3N4-TiO2(101)的差分電荷密度和平面平均差分電荷密度

如圖2所示,電子積聚在TiO2(101)表面,空穴積聚在g-C3N4處。由于界面處電子和空穴的重新分布,電場的方向是從TiO2(101)指向g-C3N4。此外,g-C3N4/TiO2(101)和極化子局域化的g-C3N4-TiO2(101)在界面處的值分別為0.26和1.01D。

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圖3 g-C3N4/TiO2(101)和極化子局域化的g-C3N4-TiO2(101)的Z型光催化機制

如圖3所示,TiO2(101)中剩余的光生空穴和g-C3N4中的電子被靜電力從界面推向材料的相反側,這有利于增強Z型電荷分離。因此,空穴和電子分別在TiO2(101)和g-C3N4中積累。如圖3b所示,在極化子局域化的g-C3N4/TiO2(101)中,極化子位于異質結的界面,這是因為極化子可以使TiO2(101)的表面為強n型,并抑制了空穴的產生。因此,極化子可以促進來自TiO2(101)的電子和來自g-C3N4的空穴的復合,因為極化子具有電子轉移態,并且界面深能級態是兩種材料界面處的復合中心。

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圖4 g-C3N4/TiO2(101)和極化子局域化的g-C3N4-TiO2(101)的CBM、VBM和光生電子-空穴動力學隨時間的變化

如圖4a,b所示,g-C3N4的VBM、TiO2(101)的CBM和TiO2(101)的極化子在給定的時間范圍內保持穩定。如圖4c,d所示,在沒有界面極化子的情況下,g-C3N4和TiO2(101)中發生激發電子和空穴的復合時,CBM處的激發電子與VBM處的空穴復合,復合時間為284fs。當極化子局域化在g-C3N4/TiO2(101)的界面上時,激發的電子在極化子狀態下復合,復合時間為76 fs。在200 fs的時間范圍內,TiO2(101)的CBM處約45%的激發電子轉移到g-C3N4的VBM。然而,當極化子局域化于界面時,近95%的激發電子轉移到極化子態。此外,當通過界面極化子態發生復合時,光激發載流子的復合時間增加了3.74倍。

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圖5 Shockley–Read–Hall復合率(USRH)作為極化子能級的函數

如圖5所示,當極化子的能級位于TiO2(101)的CBM能級以下1.01至1.20 eV的范圍內,與帶狀傳輸機制相比,USRH可以提高2.98–3.53倍。此外,在SRH模型中觀察到的增強重組率為3.51,這與NAMD中計算的增加率值(3.74)非常接近。

總結展望

在g-C3N4/TiO2異質結界面處,存在的極化子增強了界面偶極矩,從而增強了電荷分離的驅動力,并加速了來自銳鈦礦TiO2導帶的電子和來自g-C3N4價帶的空穴的界面復合。通過比較非絕熱分子動力學(NAMD)計算和經典的Shockley–Read–Hall(SRH)復合模型,進一步證明了Z型電荷輸運的增強,其分別是無極化子模型的3.7和3.5倍。此外,該研究表明,極化子的形成水平和濃度是影響半導體異質結構Z型復合程度的因素。

文獻信息

Hyunjun Nam et.al Roles of Interface Polaron in the Z-Scheme Photocatalytic Mechanism for Water Splitting: A Multiscale Simulation Study,JPCC,2023

https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c05153

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