【計算文獻(xiàn)解讀】JPCC:燃料電池中用于高效氧還原陰極的拓?fù)溷G(1ī0)面 2023年10月21日 上午2:48 ? 未分類 ? 閱讀 21 VASP計算12大專題課程:晶體、二維材料、催化、電池、鈣鈦礦、單原子、吸附、半導(dǎo)體、缺陷、磁性計算等! 學(xué)員好評夸爆了!MS+LAMMPS建模/催化/電池/半導(dǎo)體計算培訓(xùn)匯總!材料計算小白發(fā)文必備! 機器學(xué)習(xí)這么火,怎么應(yīng)用到材料/化學(xué)領(lǐng)域? 質(zhì)子交換膜燃料電池的性能在很大程度上取決于電化學(xué)氧還原反應(yīng)(ORR)的效率。在這里,賓夕法尼亞大學(xué)Andrew M. Rappe等人報道了二維(4單層,ML)和三維Bi(16ML)(1ī0)晶面的拓?fù)浔砻鏍顟B(tài)和ORR活性之間的相關(guān)性。 計算方法 基于維也納從頭算模擬包(VASP),作者使用投影增強波(PAW)方法來進(jìn)行DFT計算,并使用廣義梯度近似中的Perdew–Burke–Ernzerhof(PBE)泛函來描述電子之間的交換關(guān)聯(lián)作用。作者設(shè)置了400 eV的截斷能,并將總能量和原子力的收斂標(biāo)準(zhǔn)分別設(shè)置為10–5 eV/cell和0.01 eV/?。作者使用以Γ點位中心的9×9×9 k網(wǎng)格對體Bi晶格的布里淵區(qū)進(jìn)行采樣,而Bi(110)和(1ī1)面的布里淵區(qū)(BZ)采用6×6×1和4×6×2的K點網(wǎng)格。此外,在所有離子弛豫和自洽能帶計算中,作者都考慮了自旋-軌道耦合。 結(jié)果與討論 圖1 模型結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu) 完全弛豫的體相原胞是菱形的(如圖1a所示),其中a=b=c=4.80?,α=β=γ=57.42°。在體相結(jié)構(gòu)中,每層中的Bi原子與其他三個Bi原子鍵合,并且距離為3.10?。在確定了體相結(jié)構(gòu)后,作者創(chuàng)建了(2×2)Bi(110)和(1ī0)超胞作為周期模擬模型,并沿垂直于模擬平面的方向(c軸)添加了大于15?的真空層,以屏蔽周期性超胞之間的相互作用。 如圖1b,c所示,兩種膜都被分層為雙層結(jié)構(gòu),并且與下一個雙層的間距大于3.4?(圖1d)。如圖1e所示,Bi(110)膜的帶隙約為397meV,表明Bi(110)膜是普通的絕緣體。在圖1f中,對于Bi(1ī0)膜,在Γ點處存在能帶反轉(zhuǎn)。在Bi(1ī0)膜中,反向帶交叉形成兩個小間隙(約9meV)的狄拉克錐,一個狄拉克錐位于BZ表面分?jǐn)?shù)坐標(biāo)中的P(?0.104,0.138)處,另一個位于C2z旋轉(zhuǎn)對稱位置,如圖1g所示。狄拉克錐中的小間隙是由這兩個帶之間的弱電子相互作用引起的。 圖2 反應(yīng)機理及勢能面、部分電荷分布、自由能曲線和差分電荷密度 如圖2a所示,在(110)膜上,OOH和OH物種更傾向于吸附在Bi的頂部位置,而O物種則吸附在三個相鄰Bi原子的中空位置。在(1ī0)表面上(圖2b),OOH、O和OH物種都傾向于吸附在兩個表面Bi原子之間的橋位。如圖2c、d所示,Bi(110)和(1ī0)膜的最大施加電勢分別為0.39和0.65V,并且電勢控制步驟(PDS)為*O氫化為*OH的過程。此外,與(110)膜的(η=0.84V)相比,(1ī0)具有更低的ORR過電位(η=0.58V)。 此外,如圖2e,f所示,從費米能級周圍電子的部分電荷分布可以發(fā)現(xiàn),(1ī0)膜具有更好的催化效率。如圖2g所示,*OOH物種傾向于還原為*O并同時釋放H2O(ΔG=?2.63eV),而H2O2的析出反應(yīng)則不太有利(ΔG=?0.66eV)。此外,作者還發(fā)現(xiàn)Bi(1ī0)膜上的HER在熱力學(xué)上是不利的(ΔG=0.77 eV),這表明HER可以被有效抑制,這也可以通過圖2h所示的*H(引發(fā)HER)和*OOH(引發(fā)ORR)在(1ī0)膜上吸附的差分電荷密度圖(EDDM)理解。 圖3 不同覆蓋度下的最佳吸附位點、過電勢、電勢影響及外推氧官能團(tuán) 如圖3a所示,在(2×2)Bi(1ī0)超胞膜上的六個覆蓋密度(c*OOH=1/8、2/8、4/8、6/8、8/8、10/8單層,ML)下,作者研究了ORR的四個電子轉(zhuǎn)移步驟。如圖3b所示,在4/8的覆蓋度下具有最小的ORR過電位(0.58V)。如圖3c所示,當(dāng)施加電位降低至0.65V時,一半的表面Bi位點可以催化O2轉(zhuǎn)化為H2O。當(dāng)施加的電勢降至0.46V時,表面Bi位點的另一半將被激活,ORR性能將加倍,但過電位變大(η=0.77V)。此外,在施加的電壓小于0.46V時,表面Bi發(fā)生過配位,部分*O物種將擴(kuò)散到Bi膜的亞層中(圖3d)。 圖4 16 ML Bi(1ī0)板結(jié)構(gòu)、ORR機理及勢能面、能帶結(jié)構(gòu)和部分電荷密度 作者利用16 MLs的平板模型來研究3D塊體Bi(1ī0)表面的拓?fù)湫再|(zhì)和電化學(xué)ORR活性,相應(yīng)的結(jié)構(gòu)如圖4a所示。在圖4d的能帶結(jié)構(gòu)中,3D塊體狀態(tài)是有帶隙的,而表面狀態(tài)呈現(xiàn)金屬性。此外,通過將3D塊體(圖4d)的(1ī0)表面的能帶結(jié)構(gòu)與(1ī0)膜(圖4e)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行比較,作者發(fā)現(xiàn)表面能帶只有很小的變化,表明3D塊體中存在弱層耦合。 作者計算了3D塊體(1ī0)表面上ORR機制和自由能分布,具體如圖4b,c所示。與Bi(1ī0)膜上的ORR(η=0.58V)相比,3D塊體的表面具有更低的η(0.53V),而PDS為反應(yīng)3(O*→*OH)。為了闡明η降低的原因,作者首先分析了膜上*O(圖4f)和3D塊體上*O(圖4g)的能帶結(jié)構(gòu),其中在3D塊體上,O和表面Bi的p軌道位于與費米能級交叉和連接價帶和導(dǎo)帶的能帶中。此外,與膜上的*O相比,3D塊體表面*O在費米能級周圍的部分電荷密度(圖4h)具有沿著表面Bi–Bi和Bi–O鍵之間的p軌道重疊更強的電子傳輸通道(圖4i)。因此,3D塊體上的*O物種更有利于被氫化為*OH,從具有更高的ORR活性。 結(jié)論與展望 拓?fù)銪i(1ī0)膜和板都有兩個帶隙為9–45 meV的Dirac錐,而由于原子屈曲,Bi(110)膜為普通絕緣體。與非拓?fù)洌?10)面(η=0.84V)相比,拓?fù)銪i(1ī0)面上具有更低的熱力學(xué)ORR過電位(η=0.58V)和更高的H2O選擇性。這種促進(jìn)作用可歸因于費米能級附近拓?fù)浔砻鎺В˙i-6p軌道)的積累,其沿著表面Bi–Bi和Bi–O鍵提供更強的電子傳輸通道。最后,作者還構(gòu)建了一個16 ML的Bi(1ī0)板,并且其具有略低的熱力學(xué)ORR過電位(η=0.53V)。 文獻(xiàn)信息 Zhen Jiang et.al Topological Bismuth (11?0) Facet for Efficient Oxygen Reduction Cathode in Fuel Cells,JPCC,2023, https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c03681 點擊閱讀原文,報名培訓(xùn)! 原創(chuàng)文章,作者:v-suan,如若轉(zhuǎn)載,請注明來源華算科技,注明出處:http://www.zzhhcy.com/index.php/2023/10/21/e87968926d/ 贊 (0) 0 生成海報 相關(guān)推薦 中山大學(xué)歐陽鋼鋒團(tuán)隊,最新Nature子刊! 2024年7月3日 院士領(lǐng)銜!重慶大學(xué)Nature子刊:納米島包覆Co單原子,實現(xiàn)類Fenton反應(yīng)活性-穩(wěn)定性平衡 2025年2月17日 清華大學(xué)康飛宇教授和周棟教授EES:多多益善:可充電電池中的高熵電解質(zhì)設(shè)計 2024年3月16日 【純計算】Nano Letters:四面體半導(dǎo)體及其功能導(dǎo)數(shù)的設(shè)計原理:陽離子穩(wěn)定帶電團(tuán)簇網(wǎng)絡(luò) 2023年10月25日 南開劉遵峰/東華朱美芳院士/中國藥大周湘,重磅Nature子刊! 2024年4月26日 廣州大學(xué),最新AFM! 2024年10月29日