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內(nèi)大/河科大Appl. Catal. B.：控制BiVO4光陽(yáng)極上的W誘導(dǎo)缺陷，提高太陽(yáng)能水分解性能和抗光腐蝕性

半導(dǎo)體的抗光腐蝕穩(wěn)定性已成為光電化學(xué)水分解的重要目標(biāo)之一。

近日，內(nèi)蒙古大學(xué)王蕾教授和蘇毅國(guó)教授、河南科技大學(xué)王趙武講師（共同通訊作者）等人報(bào)道了他們對(duì)WO₃/BiVO₄異質(zhì)結(jié)、W摻雜和氧空位形成的三種混合增強(qiáng)策略的研究，以便在制備BiVO₄的過程中結(jié)合到這種納米結(jié)構(gòu)中，從而改善光電化學(xué)（PEC）性能。

研究發(fā)現(xiàn)，WO₃層不僅促進(jìn)了電子轉(zhuǎn)移，而且它被用作W摻雜的擴(kuò)散源，從而在塊體材料上產(chǎn)生氧空位（O_v）。

此外，通過引入不同的W摻雜剖面，即底部、中間和頂部，所有電極都表現(xiàn)出光激活特性，光電流得到改善，起始電位出現(xiàn)負(fù)偏移。

其中，底部W摻雜使BiVO₄電極上的電荷分離效率得到了最顯著的提高，在前、后1個(gè)太陽(yáng)光照射下，在1.23 V_RHE處產(chǎn)生了接近4.4 mA cm^-2的光電流密度。

更重要的是，無(wú)助催化劑的W: BiVO₄-O_v光陽(yáng)極在1.0 V_RHE下的25 h試驗(yàn)中呈現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。通過實(shí)驗(yàn)和理論計(jì)算結(jié)合，證明了多種協(xié)作策略有助于設(shè)計(jì)高效穩(wěn)定的太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換光電極。

Tungsten Induced Defects Control on BiVO₄ Photoanodes for Enhanced Solar Water Splitting Performance and Photocorrosion Resistance. Appl. Catal. B Environ., 2021, DOI: 10.1016/j.apcatb.2021.120610.

https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2021.120610.

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