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楊朋舉Appl. Catal. B.:富含氧空位的Co3O4用于光催化CO2還原

楊朋舉Appl. Catal. B.:富含氧空位的Co3O4用于光催化CO2還原
在金屬氧化物中引入氧空位(OVs)已被證明是促進CO2活化的有力手段。然而,目前缺乏有效的OVs植入方法阻礙了高活性CO2還原催化劑的合理設計。
因此,山西大學楊朋舉團隊報道了一種富含氧空位(OV)的Co3O4納米催化劑,該催化劑對光催化CO2還原顯示出優異的催化活性。
楊朋舉Appl. Catal. B.:富含氧空位的Co3O4用于光催化CO2還原
作者在常溫常壓下(30 ℃和1 atm)通過光化學方法成功制備出富含氧空位(OV)的Co3O4納米催化劑。通過光化學方法制備的Co3O4的OVs濃度明顯高于常規熱化學方法制備的Co3O4 OVs濃度。
單個孤立的OV和Co-OV是Co3O4骨架內的主要缺陷類型。此外,僅通過控制光照射時間就可以在寬的范圍內對Co3O4中的OVs濃度進行調節。
楊朋舉Appl. Catal. B.:富含氧空位的Co3O4用于光催化CO2還原
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實驗和DFT計算表明,OVs可以促進CO2和水的吸附/活化,同時顯著降低COOH*形成的能壘,從而加速反應動力學。與缺乏OV的Co3O4相比,富含OV的Co3O4的CO2還原活性提高了26.7 倍。
富含OV的Co3O4中Co原子的周轉頻率(TOF)達到3.754 s-1。更重要的是,這種光化學策略還可以進一步擴展以制備金屬硫化物,如MoS2、MnS、CdS、NiS2-Ni3S4和 Bi2S3-BiS2,為合成缺陷功能的金屬氧化物和金屬硫化物納米晶體提供了一種通用的室溫光化學策略。
Oxygen vacancies in Co3O4 promote CO2 photoreduction. Applied Catalysis B: Environmental, 2021. DOI: 10.1016/j.apcatb.2021.120729

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