超薄納米材料獨特的二維結構為在原子水平上調節性能提供了理想的平臺。

中國科學院劉立成團隊結合雙離子共取代策略實現了微米尺寸的塊狀ZnSn(OH)₆前驅體(2μm)向功能化In-O-ultrathin-SnS₂納米片(3 nm)的轉化。

In-O-ultrathin-SnS₂在CO₂電催化還原的1.0 V中等過電位下實現了88.6%的甲酸鹽法拉第效率(FEHCOO^–)和22.7 mA cm^-2的分電流密度(j_HCOO-)，與未修飾的超薄SnS₂相比性能具有明顯改善。

DFT計算表明，In-O-ultrathin-SnS₂的優異活性歸因于氧化錫與相鄰In位之間的協同效應，降低了關鍵中間體的自由能，加速了電子轉移速率。該工作為超薄二維納米材料的結構優化和活性調控提供了指導原則。

An Integrated Gradually Thinning and Dual-Ion Co-Substitution Strategy Modulated In-O-Ultrathin-SnS₂ Nanosheets to Achieve Efficient Electrochemical Reduction of CO₂. Chemical Engineering Journal, 2021. DOI:10.1016/j.cej.2021.132145