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黃小青/焦鋒/徐勇,最新ACS Nano!

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成果簡介
銅(Cu)因其C-C偶聯生成多碳(C2+)產物,被認為是CO/CO2還原反應(CORR/CO2RR)中有效的電催化劑,但是如何合理設計Cu基催化劑以實現高選擇性CO/CO2還原為C2+液體產物(醋酸鹽等)仍然是一個巨大的挑戰。
基于此,廈門大學黃小青教授、美國特拉華大學焦鋒教授和廣東工業大學徐勇教授(共同通訊作者)等人報道了在二氧化鈰(CeO2)納米棒(Cu-CeO2)上濺射原子層狀的Cu原子可以使催化劑在CORR中具有更強的乙酸鹽選擇性。由于CeO2中存在氧空位(Ov),界面處的Cu原子層與Ce原子以Cu-Ce(Ov)的形式配位,這是界面協同作用的結果。Cu-Ce(Ov)顯著促進H2O的吸附和解離,并進一步與CO偶聯選擇性地生成乙酸鹽作為主要的液體產物。
在50至150 mA cm-2的電流密度范圍內,乙酸鹽的法拉第效率(FEs)均大于50%,最高可以達到62.4%。特別是Cu-CeO2的周轉頻率(TOF)達到1477 h-1,超過了Cu納米顆粒修飾的CeO2納米棒、裸CeO2納米棒以及其他現有的Cu基催化劑。該研究為高性能CORR催化劑的合理設計和高附加值產品的開發提供了理論依據,在材料科學、化學、催化等領域具有廣泛的應用前景。
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研究背景
將間歇性電能轉化為化學能的電催化過程,被認為是一種高效環保的CO/CO2還原反應(CORR/CO2RR)生產高附加值化學品的方法。近十年來,科學家們一直致力于開發穩健高效的CORR和CO2RR催化劑,以生產高附加值的產品。
然而,目前用于CO/CO2電還原的高效催化劑存在活性差和選擇性低的缺點,特別是對于C2+液體產物。其中,Cu是具有的用于CORR生成C2+產物的單金屬催化劑,但在CORR中產生單個所需的C2+產物,并抑制副產物還具有挑戰性。單金屬Cu催化劑在CORR中觀察到不同的產物選擇性,表明CORR的反應途徑可能受到Cu活性位點局部結構的影響,這一點目前仍不清楚。
圖文導讀
首先,作者利用水熱法制備CeO2納米棒(NRs)。然后,在CeO2 NRs上加入一定量的CuCl2·2H2O,在550 ℃空氣中退火,得到Cu-CeO2(2 wt%)。高角度環形暗場掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)圖像顯示,在CeO2 NRs上加載Cu后,形貌沒有明顯變化。
像差校正HAADF-STEM(AC-HAADF-STEM)圖像顯示,Cu原子位于具有多個原子層的CeO2 NRs表面。電子能量損失譜(EELS)映射進一步揭示了Cu原子在CeO2 NRs表面的優先分布。在CeO2、Cu NPs-CeO2和Cu-CeO2的O 1s XPS光譜中,529.0和531.2 eV的峰可以歸屬于CeO2的晶格O和表面O。
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圖1. Cu-CeO2的形態和結構特征
在標準三電極流動電池反應器中使用1M KOH水性電解質下,Cu-CeO2和Cu NPs-CeO2在CO凈化電解質中的電流密度遠高于CeO2,表明Cu對CORR的顯著影響。Cu-CeO2的電流密度遠遠高于Cu NPs-CeO2,表明Cu-Ce(Ov)可作為CORR的高活性位點。
對比純CeO2 NRs,Cu-CeO2上的HER被強烈抑制。當Cu-CeO2作為催化劑時,在50-150 mA cm?2下,H2的FE低于30%,HER過程被強烈抑制。在50 mA cm?2條件下,Cu-CeO2的乙酸鹽FE達到62.4%,遠高于同等條件下的CeO2和Cu NPs-CeO2,表明原子層狀Cu修飾CeO2 NRs可顯著促進對乙酸鹽的選擇性CORR。
此外,在50-200 mA cm?2時,Cu-CeO2上C2產物的FEs明顯高于CeO2和Cu NPs-CeO2。此外,Cu-CeO2的乙酸鹽的局部電流密度隨著電位的增加而增加。總之,C2產物的電位和FEs保持不變,以及廢催化劑的形態和結構保持不變,表明Cu-CeO2可以作為一種高活性、選擇性和穩定的CORR催化劑。
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圖2. 各種催化劑的CORR性能
通過密度泛函理論(DFT)計算,作者研究了增強CORR性能的機理。DFT計算出H2O在CeO2(111)和Ov-CeO2(111)上的吸附能分別為-0.33和-0.40 eV,表明Ov的存在促進了H2O的吸附。同時,Ov的形成可以顯著促進H2O的活化。
具體而言,計算出CeO2(111)上的O-H鍵長度為~0.971 ?,比Ov-CeO2(111)上的O-H鍵長度短(~0.978 ?),表明Ov-CeO2(111)對H2O的吸附比CeO2(111)更強。計算出H2O在CeO2(111)和Cu4/Ov-CeO2上的離解能分別為-0.50 eV和-0.62 eV,表明Ov能夠促進H2O的離解。結果表明,Ov可以顯著提高H2O的活化和解離,從而通過氫輔助偶聯機制形成富H表面,從而提高C2產物的選擇性。
此外,以*OCCOH→*HOCCOH(乙烯途徑)、*HCCHO(乙醇途徑)、*H2CCO(乙酸途徑)為關鍵步驟,作者研究了Cu4/Ov-CeO2(111)表面上H2O輔助CORR的反應機理。*HOCCOH(乙烯途徑)的形成能壘比乙醇途徑和乙酸途徑的關鍵中間體*CCO的形成能壘高0.50 eV,表明氧途徑比乙烯途徑更有利。在Cu4/Ov-CeO2(111)表面,*OCCOH優先轉化為*CCO,然后再轉化為*HCCO。通過乙醇途徑*HCCO→*HCCHO的勢壘比通過乙酸途徑*HCCO→*H2CCO的勢壘高1.33 eV,導致乙酸具有較高的選擇性。
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圖3. 機理研究
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圖4. DFT計算
文獻信息
Interfacial Synergy between the Cu Atomic Layer and CeO2 Promotes CO Electrocoupling to Acetate. ACS Nano, 2023, DOI: 10.1021/acsnano.3c00817.
https://doi.org/10.1021/acsnano.3c00817.

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