InP具有接近Shockley-Quiesser極限的帶隙和與水還原電位良好的導帶對齊，是用于光電化學(PEC) HER的理想光陰極材料。

澳大利亞國立大學Siva Karuturi、Parvathala Reddy Narangari等通過一種新型的基于Au自組裝納米點掩模策略以及隨后溶解硫的油胺(S-OA)溶液處理，制備出用于高效穩定PEC HER的InP NW。

使用溶解硫的油胺(S-OA)溶液處理時，S原子首先與InP表面上的In或P鍵合。接下來，額外的S原子進一步侵入In或P的內部鍵，形成InPS₄。隨后，InPS₄溶解在溶液中，呈現新鮮的In原子，其懸空鍵通過S原子結合立即鈍化。

S-OA處理后的InP NWs形成了表面硫化物層，顯著提高了在酸性電解質中抗氧化分解的能力，從而獲得了優異的PEC穩定性。另外，S-OA處理同時去除表面損傷，提升光陰極的PEC性能。

在AM1.5G照射下，在1 M HCl電解質中，起始電位為0.63 V_RHE時InP NW光電陰上的光電流密度達到33 mA cm^-2，非常接近InP的理論光電流極限~34.5 mA cm^-2。另外，InP NW光電陰極具有出色穩定性以及接近100%的法拉第效率。

Surface-tailored InP nanowires via self-assembled Au nanodots for efficient and stable photoelectrochemical hydrogen evolution. Nano Letters, 2021. DOI:10.1021/acs.nanolett.1c02205